（首爾26日訊）韓國媒體Business Korea周五報導，韓國半導體公司日益擔心美國本月稍早通過的晶片和科學法案，因為依據規定，一旦申請取得補貼，未來10年不得在中國在內的指定地區擴大產能和投資，僅老式（legacy）製程不受此限，但該詞定義不明，三星電子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK Hynix）無法完全免於風險。
台灣《聯合報》報導，如果美國的禁令僅限於非記憶體晶片，韓國半導體公司的風險將趨近於零，因為三星電子和SK海力士都沒在中國生產非記憶體晶片。三星的NAND Flash廠座落在西安，封測設施在蘇州。SK海力士的DRAM和NAND Flash工廠分別在無錫和大連。
如果禁令同時包含記憶體和非記憶體晶片，SK海力士會受影響，它的無錫廠量產10奈米晶片DRAM。三星電子的風險相對較低，因為NAND Flash記憶體晶片以堆疊的層數來計算，不是奈米。
不管哪種情況，這兩家韓國半導體公司都無法完全免於風險，因為接受補助後的10年間，投資計畫和活動都必須知會美國商務部，而這些多半是業務機密。